當霍爾元件置于與電流方向垂直的磁場中時，會出現霍爾效應，同時還會出現半導體電阻率增大的現象，這種現象稱為磁阻效應。利用磁阻效應做成的元件被稱為磁阻元件。

　　針對于光電開關傳感器的磁場有很不同的作用，而霍爾傳感器在沒有外加磁場作用時，電流方向為直線方向;在受到外加磁場作用后，電流的路徑增長，電阻率就會增大，從而賣到電阻增大。

　　磁阻元件具有阻抗低、阻值隨磁場變化大、頻率響應好、可非接觸式測量、動態范圍廣及噪聲小等優點，因此廣泛應用于無觸點開關、壓力開關、角度傳感器、轉速傳感器等場合。

　　霍爾傳感器的磁敏二極管的結構是在高純度半導體鍺的兩端雜質P型區和N型區，I區的范圍遠遠大于載流子擴散的范圍，在I區的側面做一個高復合區R，在R區載流子的復合速率較大。

　　磁敏二極管在無磁場時，大部分空穴和電子分別流入N區和P區而產生電流，只有少部分在R區復合，此時I區有穩定的阻值;若給磁敏二極管外加一個正向磁場B，空穴和電子受到洛倫茲力的作用偏向R區，在R區復合，此時I區的空穴和電子數量減少，導電能力減弱，電阻值增大，若給磁敏二極管外加一個反向磁場B，空穴和電子受到洛倫茲力的作用偏離R區，此時I區的空穴和電子數量增多，導電能力強，電阻值減小。

　　由于磁敏二極管在正、負磁場作用下輸出電阻不同，可以利用它來判斷磁場方向。