CMOS圖像傳感器的性能參數與CCD的性能參數基本上是一致的;而且近年來，CMOS成像器件取得重大進展，其性能指標已與CCD接近。

　　1、譜性能與量子效率：CMOS成像器件的光亦性能和量子效率取決于它的像敏單元。

　　2、填充因子：填充因子是指光敏面積對全部像敏面積之比，它對器件的有效靈敏度、噪聲、時間響應、模傳遞函數MTF等的影響很大。

　　3、輸出特性與動態范圍：CMOS成像器件一般有4種輸出模式：線性模式、雙斜率模式、對數特性模式、校正模式。它們的動態范圍相差很大，特性也有較大的區別。

　　4、噪聲：CMOS圖像傳感器的噪聲來源于其中的像敏單元光敏二極管，用于放大器的場效應晶體管和行、列選擇等開關的場效應晶體管。這些噪聲既有相似之處也有很大差別。此外，由光敏二極管陳列和場效應晶體管電路構成CMOS圖像傳感器時，還可能產生新的噪聲，如光敏器件的噪聲、MOS場效應晶體管中的噪聲，CMOS成像圖像中的工作噪聲。

　　5、空間傳遞函數：由于CMOS成像器件中存在空間噪聲和串音，故實際的空間傳遞函數特性要降低些。